新品 Toho Titanium 东邦钛业 4N5 高纯钛锭半导体级溅射靶材 PVD 镀膜原料

更新时间：2026-10-29

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# 2026年新品发布会#

日期：2026年10月29日

时间：8：30-18：30

近期我司新推出升级了

新品 Toho Titanium 东邦钛业 4N5 高纯钛锭 High-purity Ti 半导体级溅射靶材 PVD 镀膜原料

Toho Titanium 东邦钛业 4N5 高纯钛锭 High-purity Ti 上新，Ti≥99.995%（4N5），Fe≤5ppm，Ni≤2ppm，半导体级高纯钛原料，用于半导体溅射靶材、DRAM 金属化、PVD 镀膜工序。

半导体晶圆制造的金属化 PVD 镀膜，对钛靶材原料纯度要求严苛，铁、镍等过渡金属杂质一旦超标，会造成器件漏电、良率下降。4N5 高纯钛锭杂质指标严格限制，是半导体钛溅射靶材的核心坯料，经过锻造、轧制、精加工之后制成钛靶，用于 DRAM、逻辑芯片的阻挡层、粘附层镀膜。Toho Titanium 东邦钛业专门针对半导体电子行业开发高纯钛锭，在熔炼、成型全流程洁净管控，规避外来金属污染，批次之间杂质稳定，满足晶圆厂、靶材厂的来料审核标准。4N5 高纯钛是先进存储芯片、半导体镀膜工艺刚需原料。国内半导体靶材厂商持续寻找稳定高纯钛坯来源，Toho Titanium 东邦钛业 4N5 高纯钛锭是日系成熟高纯钛原料。

北崎一手货源供应 Toho Titanium 东邦钛业 4N5 半导体级高纯钛锭，附带高纯检测报告，溅射靶材、半导体材料企业可试样。

新品 Toho Titanium 东邦钛业 4N5 高纯钛锭 半导体级溅射靶材 PVD 镀膜原料

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